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集成电路制造工艺与工程应用600余幅彩色立体图和剖面图详细阐述工艺步骤 业界专家集体联袂推荐
市场价:¥99.00
会员价:$49.50  VIP价:$47.52
作者:温德通
出版社:机械工业出版社
出版日期:2018年8月    ISBN:9787111598305
版次:1 版    印次:1 次
开本:32    页数:1     装帧:简装
商品所属分类:图书 - 工业技术 - 电子 通信_通信
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商品简介  
编辑推荐

温德通老师这本《集成电路制造工艺与工程应用》,从几年前开始编写时就与我进行了沟通,在看过初稿后,我对于他亲自绘制的数百幅工艺流程图印象深刻,并且深感佩服,这些图片在目前讲述集成电路工艺的教材中是看不到的,这也是我决定这本书一定要采用彩色印刷的原因。而且教材往往囿于知识体系的完整,不可能将具体的工艺流程如此详细地讲解,而我们在学习的时候,对于教材中所叙述的工艺流程总是限制在名词术语之间,而温老师得益于他十多年在企业中的工作经验,弥补了这些不足,为读者奉上了这本佳作。

 

    作为同是微电子学专业的我,深知这样的书在编写上的难度,以及找寻愿意去写这样的书的作者有多难。本书的出现,相信一定会为集成电路领域做出很大的贡献!这个领域虽然小众,但是对于和传统教科书有所区别,具有鲜明特点和针对性的图书的需求,我一直相信是有的,而且很大。

 

     在编写时,温老师数易其稿,并且力求简明和清晰,这不是一本大而全的教科书,但却是工艺方面难能可贵的参考资料,希望能收到各位半导体集成电路从业者的喜爱。正如温老师在扉页中所写的那句话一样:谨以此书,献给所有热爱半导体行业的朋友!

 
内容简介

本书以实际应用为出发点,对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍,例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术,然后从工艺整合的角度,通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍,例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这些工艺技术应用于实际工艺流程中,通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。

    本书旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术,给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。

作者简介

温德通,IC高级设计工程师。毕业于西安电子科技大学微电子学院,曾供职于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,负责工艺制程整合方面的工作;后加入晶门科技(深圳)有限公司工作至今,负责集成电路工艺制程、器件、闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作。

目  录

专家推荐

  写作缘由与编写过程

  致谢

  第1章 引言

   1.1崛起的CMOS工艺制程技术

       1.1.1 双极型工艺制程技术简介

       1.1.2 PMOS工艺制程技术简介

       1.1.3 NMOS工艺制程技术简介

       1.1.4 CMOS工艺制程技术简介

   ……

       4.1.1 衬底制备

       4.1.2 双阱工艺

       4.1.3 有源区工艺

       4.1.4 LOCOS隔离工艺

       4.1.5 阈值电压离子注入工艺

       4.1.6 栅氧化层工艺

       4.1.7 多晶硅栅工艺

       4.1.8 轻掺杂漏(LDD)离子注入工艺

       4.1.9 侧墙工艺

       4.1.10 源漏离子注入工艺

    4.2  亚微米CMOS后段工艺制程技术流程

       4.2.1 ILD工艺

       4.2.2 接触孔工艺

       4.2.3 金属层1工艺

       4.2.4 IMD1工艺

       4.2.5 通孔1工艺

       4.2.6 金属电容(MIM)工艺

       4.2.7 金属2工艺

       4.2.8 IMD2工艺

       4.2.9 通孔2工艺

       4.2.10 顶层金属工艺

       4.2.11 钝化层工艺

   4.3 深亚微米CMOS前段工艺技术流程

       4.3.1 衬底制备

       4.3.2 有源区工艺

       4.3.3 STI隔离工艺

       4.3.4 双阱工艺

        4.3.5 栅氧化层工艺

       4.3.6 多晶硅栅工艺

       4.3.7 轻掺杂漏(LDD)离子注入工艺

       4.3.8 侧墙工艺

       4.3.9 源漏离子注入工艺

       4.3.10 HRP工艺

       4.3.11 Salicide工艺

   4.4 深亚微米CMOS后段工艺技术

   4.5 纳米CMOS前段工艺技术流程

   4.6 纳米CMOS后段工艺技术流程

        4.6.1 ILD工艺

        4.6.2 接触孔工艺

        4.6.3 IMD1工艺

        4.6.4 金属层1工艺

        4.6.5 IMD2工艺    1

        4.6.6 通孔1和金属层2工艺

        4.6.7 IMD3工艺

        4.6.8 通孔2和金属层3工艺    

        4.6.9 IMD4工艺

        4.6.10 顶层金属Al工艺

        4.6.11 钝化层工艺、

    参考文献

  第5章 晶圆接受测试(WAT)

   5.1 WAT概述

        5.1.1 WAT简介

        5.1.2 WAT测试类型

   5.2 MOS参数的测试条件

        5.2.1 阈值电压 V    t   的测试条件

        5.2.2 饱和电流 I    dsat   的测试条件

        5.2.3 漏电流 I    off   的测试条件

        5.2.4 源漏击穿电压 BVD的测试条件

        5.2.5 衬底电流 I    sub   的测试条件

   5.3 栅氧化层参数的测试条件

        5.3.1 电容 C    gox   的测试条件

        5.3.2 电性厚度 T    gox   的测试条件

        5.3.3 击穿电压 BV    gox   的测试条件

   5.4 寄生MOS参数测试条件

   5.5 pn结参数的测试条件

        5.5.1 电容 C    jun   的测试条件

        5.5.2 击穿电压 BV    jun   的测试条件

   5.6 方块电阻的测试条件

        5.6.1 NW方块电阻的测试条件

        5.6.2 PW方块电阻的测试条件

        5.6.3 Poly方块电阻的测试条件

        5.6.4 AA方块电阻的测试条件

        5.6.5 金属方块电阻的测试条件

   5.7 接触电阻的测试条件

        5.7.1 AA接触电阻的测试条件

        5.7.2 Poly接触电阻的测试条件

        5.7.3 金属通孔接触电阻的测试条件

   5.8 隔离的测试条件

         5.8.1 AA隔离的测试条件

         5.8.2 Poly隔离的测试条件

         5.8.3 金属隔离的测试条件

   5.9 电容的测试条件

        5.9.1 电容的测试条件

        5.9.2 电容击穿电压的测试条件

  后记

  缩略语


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